Nous avons le plaisir de vous annoncer le séminaire de  

Safae JAAYDAR, doctorante de l’Equipe ES portant sur "Technologie, modélisation et conception des circuits intégrés rapides en HEMT GaN "

Le 20/06/2024 à 13h15  via Teams. 

Résumé :

Le GaN (nitrure de gallium) est un semi-conducteur à large bande interdite qui présente des propriétés électroniques exceptionnelles telles qu’un champ de claquage élevé, une vitesse de saturation des électrons rapide et une haute mobilité électronique. En raison de ces propriétés remarquables, le GaN est utilisé dans une variété d’applications militaires et civiles. Dans le secteur de l’aéronautique, par exemple, les circuits basés sur le GaN sont développés pour améliorer les systèmes de communication et de détection embarqués. Ces avancées permettent le développement de radars de nouvelle génération capables de fonctionner dans des environnements difficiles. En outre, les améliorations des composants à base de GaN conduisent à une réduction de la taille des antennes et des systèmes, permettant la création de systèmes de télécommunication compacts et extrêmement efficaces.Cet exposé présentera les travaux entamés pour réaliser de tels circuits dans le cadre de la collaboration entre l’Université de Sherbrooke (Canada) et l’ENSEA. Cette collaboration associe les compétences du Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes (LN2) de l’université de Sherbrooke, qui développe une technologie HEMT GaN aux performances fréquentielles atteignant 400 GHz, à celles du laboratoire Quartz en conception de circuits intégrés rapides.